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第11屆先進玻璃國際會議參展實況(2024.4.22-4.24)
第11屆先進玻璃國際會議參展實況(2024.4.22-4.24)

春風暖日之際,由中國硅酸鹽協會,中國日用玻璃協會,上海市硅酸鹽協會,東華大學,先進玻璃制造技術教育部工程研究中心,中國輕工業(yè)特種玻璃及搪瓷重點實驗室共同舉辦,于2024.4.22-4.24在上海松江大學城東華大學的圖文信息中心隆重舉行,在本次以《雙碳新時代:玻璃的機遇與再生》為主題的第11屆先進玻璃國際會議上,我公司受邀作為玻璃相關材料及裝備的供應商參加了此次會議,展示了公司代理的科晶集團(沈陽科...

2024-04-23
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  • CVD氣相沉積技術原理詳解:從反應氣體到固態(tài)薄膜的轉化之路

    化學氣相沉積技術是現代薄膜制備領域的核心工藝之一,廣泛應用于材料制備、半導體制造、精密器件加工等諸多領域,核心本質是實現氣態(tài)反應物質向固態(tài)薄膜材料的可控轉化。該技術依托真空密閉反應環(huán)境,通過精準調控反應條件,讓氣態(tài)前驅體發(fā)生系列化學反應,在基底表面沉積形成均勻、致密的固態(tài)薄膜,是低損耗、高精度的材料改性與薄膜制備技術。CVD氣相沉積技術的完整轉化過程分為多個連續(xù)且可控的階段,各環(huán)節(jié)相互配合,保障薄膜沉積的穩(wěn)定性與規(guī)整性。首先是氣體輸送階段,經過純化處理的反應前驅體氣體,按照工...

    20266-15
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  • 高性能薄膜制造,PECVD等離子體增強氣相沉積技術的工作原理與應用

    在半導體制造、光學器件、新能源、電子信息等領域,高性能薄膜的制備是提升產品性能、拓展產品功能的核心環(huán)節(jié)。PECVD等離子體增強氣相沉積技術作為一種重要的氣相沉積技術,依托等離子體的作用,實現高性能薄膜的精準制備,相較于傳統沉積方法,其在薄膜質量、制備效率與功能適配性上具有顯著優(yōu)勢,廣泛應用于各類高性能薄膜的制造,為各行業(yè)技術升級與產品創(chuàng)新提供有力支撐。PECVD等離子體增強氣相沉積技術的核心工作原理,是利用等離子體激活反應氣體,在基體表面發(fā)生化學反應并沉積形成高性能薄膜。其工...

    20265-11
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  • 實驗室設備:混合箱式爐的操作與應用技巧

    在材料研發(fā)、冶金分析、化學實驗、陶瓷制備等實驗室場景中,混合箱式爐是重要的基礎加熱設備,主要用于樣品的高溫燒結、退火、熔融、干燥等處理,其操作的規(guī)范性與應用技巧的合理性,直接關系到實驗結果的準確性、實驗過程的安全性以及設備的使用壽命。作為實驗室常用設備,憑借均勻的加熱性能、靈活的溫度調控能力,適配多種樣品處理需求,掌握其正確操作方法與實用應用技巧,能有效提升實驗效率,保障實驗順利開展。混合箱式爐的規(guī)范操作,是保障實驗安全與數據可靠的核心前提,需貫穿實驗全流程。實驗前,需先檢查...

    20264-13
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  • 提升PECVD等離子體增強氣相沉積設備性能的關鍵技術與注意事項

    PECVD等離子體增強氣相沉積設備通過引入等離子體,在較低溫度下激活氣相反應,實現薄膜沉積。提升其性能,即追求更高的沉積速率、更優(yōu)的薄膜質量、更好的均勻性與重復性以及更低的缺陷密度,需從等離子體源、氣路與反應腔室設計、工藝控制及設備維護等核心環(huán)節(jié)進行系統性優(yōu)化。一、等離子體產生與控制的優(yōu)化技術等離子體的均勻性、活性與穩(wěn)定性是影響沉積質量的根本。等離子體源選型與設計:常用的射頻、微波、甚高頻等不同頻率的等離子體源,其產生機制、電子溫度、離子密度及均勻性范圍不同。選擇與目標薄膜工...

    20263-16
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  • CVD氣相沉積過程中的溫度控制與反應氣體選擇

    CVD氣相沉積是一種通過氣相化學反應在襯底表面生長固態(tài)薄膜的技術。該過程的成膜質量、晶體結構、生長速率及薄膜性能,高度依賴于兩個核心工藝參數:反應溫度的控制與反應氣體的選擇。對這兩個參數的精確調控是實現預期薄膜沉積的關鍵。一、溫度控制的決定作用溫度是驅動化學反應、影響表面過程及決定薄膜性質的核心物理量。對化學反應動力學的影響:沉積溫度直接影響反應氣體的熱分解速率、中間產物的生成速率以及固態(tài)產物的生成速率。溫度需達到能使前驅體氣體發(fā)生有效化學反應、生成所需固態(tài)產物的閾值。溫度不...

    20263-2
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  • 真空氣氛管式爐的工作原理與操作指南說明

    真空氣氛管式爐是用于在精確控制的氣氛、真空及溫度條件下,對材料進行熱處理、燒結、合成、退火等工藝的實驗設備。其核心工作原理在于通過真空系統、氣氛控制系統與加熱系統的協同工作,為樣品創(chuàng)造一個可控的、無污染或特定氣氛的熱環(huán)境,以實現特定的材料處理目標。一、基本工作原理設備主要由爐體、加熱元件、耐高溫爐管、真空系統、氣氛控制系統、溫度控制系統及安全保護系統構成。爐體提供保溫與結構支撐,內部裝有加熱元件,可對爐管進行均勻或程序化加熱。爐管是放置樣品并隔離外部氣氛的腔體,兩端由密封法蘭...

    20262-2
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  • 研磨拋光機在金屬加工中的應用與優(yōu)點概述

    研磨拋光機是金屬表面處理的關鍵設備,通過磨料與金屬表面的機械作用,實現對工件表面材料的去除、平整與光飾。其基本工作原理是利用旋轉的磨盤、砂帶或其它載體,使附著于其上的磨料顆粒對金屬表面進行切削、刻劃與滑擦,從而達到改變表面幾何形態(tài)與物理狀態(tài)的目的。該系統通常包含動力裝置、執(zhí)行機構、夾持或進給裝置,以及可能具備的冷卻液供給與粉塵收集系統。一、在金屬加工中的主要應用根據加工目的與工序階段,研磨拋光機的應用主要體現在以下方面:去除加工痕跡與余量:在鑄造、鍛造、切削等初步成型工序后,...

    20261-19
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  • 真空感應熔煉爐的安全操作規(guī)程與注意事項

    真空感應熔煉爐是一種在真空或保護性氣氛下,利用電磁感應原理加熱并熔煉金屬材料的特種冶煉設備。其操作過程涉及高電壓、高電流、高真空、高溫及可能的有害物質,遵循嚴格的安全操作規(guī)程與注意事項是保障人員安全、設備完好及工藝成功的基礎。一、通用安全原則與操作前準備操作人員需接受專業(yè)培訓,了解設備結構、工作原理、潛在風險及應急程序,考核合格后方可上崗。操作前需確認個人防護裝備完備,通常包括耐高溫手套、防護面罩、隔熱工作服及安全鞋。工作區(qū)域應保持整潔,無易燃易爆物品,通道暢通。檢查設備周邊...

    20261-6
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  • 真空管式爐在能源節(jié)約方面的探索

    真空管式爐在材料燒結、熱處理等領域承擔著精密控溫與氣氛保護的重任,其性能優(yōu)化與節(jié)能技術的核心,在于讓熱量與氣氛“各盡其用”,減少無用損耗。性能優(yōu)化的關鍵在于熱場均勻性與氣氛控制的協同提升。爐內加熱元件的排布需兼顧徑向與軸向的溫場一致性,通過仿真與實測調整間距與功率配比,避免局部過熱或溫差過大影響樣品品質。保溫層材質與結構要兼顧低導熱與高熱容,既能鎖住熱量減少散失,又能在升溫階段快速蓄熱,縮短穩(wěn)定時間。氣氛控制系統需精準調節(jié)進氣與抽速,維持爐內氣體濃度與壓力的均勻穩(wěn)定,避免反復...

    202512-29
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  • 真空管式爐的維護與保養(yǎng)技巧分析

    真空管式爐是材料高溫處理、熱處理及化學氣相沉積等工藝中的關鍵設備,其性能穩(wěn)定性與使用壽命高度依賴于系統性的維護與保養(yǎng)。規(guī)范、定期的維護操作不僅能保障實驗與生產數據的準確性,也是預防安全事故、降低故障率、延長設備整體使用壽命的基礎。一、核心腔體與爐管的日常維護爐膛與石英爐管是直接承載樣品與高溫的核心部件。每次實驗后,應在爐體溫度全部降至室溫后,及時清理爐管內壁及法蘭接口處的揮發(fā)物、殘留物或剝落物。對于松散沉積物,可使用軟毛刷或專用清潔工具。對于難以清除的附著物,應根據爐管材質,...

    202512-25
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  • 真空氣氛管式爐的性能優(yōu)化與節(jié)能技術分析

    真空氣氛管式爐在材料燒結、熱處理等領域承擔著精密控溫與氣氛保護的重任,其性能優(yōu)化與節(jié)能技術的核心,在于讓熱量與氣氛“各盡其用”,減少無用損耗。性能優(yōu)化的關鍵在于熱場均勻性與氣氛控制的協同提升。爐內加熱元件的排布需兼顧徑向與軸向的溫場一致性,通過仿真與實測調整間距與功率配比,避免局部過熱或溫差過大影響樣品品質。保溫層材質與結構要兼顧低導熱與高熱容,既能鎖住熱量減少散失,又能在升溫階段快速蓄熱,縮短穩(wěn)定時間。氣氛控制系統需精準調節(jié)進氣與抽速,維持爐內氣體濃度與壓力的均勻穩(wěn)定,避免...

    202512-15
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  • 如何優(yōu)化CVD氣相沉積過程中的薄膜質量?

    CVD氣相沉積是通過氣態(tài)前驅體在基底表面反應生成固態(tài)薄膜的技術,其薄膜質量受多因素協同影響。優(yōu)化過程需從反應環(huán)境控制、前驅體管理、基底預處理及工藝參數匹配等方面綜合調控。一、反應環(huán)境:精準調控氣氛與溫度沉積環(huán)境的潔凈度與穩(wěn)定性是基礎。需嚴格控制反應腔體內的雜質濃度,避免顆?;蛭廴疚锘烊霘饬鳎ㄟ^高效過濾系統與惰性氣體保護減少外界干擾。溫度場均勻性直接影響薄膜的結晶度與組分分布——通過優(yōu)化加熱方式與腔體設計,確保基底表面溫度梯度最小化,使反應氣體在基底表面均勻分解與沉積,避免局...

    202512-1
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