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冷壁 CVD 為薄膜與新材料生長(zhǎng)核心工藝裝備，支持單片 4 英寸、6 英寸、8 英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓一體化加工、采用僅襯底加熱、腔壁水冷控溫至近室溫的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，具備沉積區(qū)域集中于樣品、顆粒污染低、升降溫速率快等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于集成電路、二維半導(dǎo)體、光伏、光電探測(cè)器等關(guān)鍵領(lǐng)域。

多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜等新型薄膜材料的制備。本設(shè)備主要用于金屬薄膜的沉積，可提供的靶材有銅、鎳、鈷、鐵、鉭、鉻、鈦、鋁、鎢等金屬的沉積。

多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜等新型薄膜材料的制備。本設(shè)備主要用于金屬薄膜的沉積，可提供的靶材有銅、鋁等金屬的沉積。

熱壓爐系統(tǒng)集成高精度液壓施壓結(jié)構(gòu)與高溫加熱系統(tǒng)，可在高溫環(huán)境下精準(zhǔn)輸出壓榨壓力，同步完成加溫、加壓一體化作業(yè)。設(shè)備搭載先進(jìn)液壓控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度壓力與位置閉環(huán)調(diào)控；依托PLC搭配觸摸屏HMI實(shí)現(xiàn)全流程自動(dòng)化操控，同時(shí)配備專屬液壓安全防護(hù)系統(tǒng)，爐室開啟時(shí)自動(dòng)限制壓力輸出，有效規(guī)避模具損壞、人員受傷等風(fēng)險(xiǎn)。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于粉末燒結(jié)、材料擴(kuò)散鍵合等科研制備場(chǎng)景。