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冷壁 CVD 為薄膜與新材料生長核心工藝裝備，支持單片 4 英寸、6 英寸、8 英寸標準晶圓一體化加工、采用僅襯底加熱、腔壁水冷控溫至近室溫的獨特結(jié)構(gòu)，具備沉積區(qū)域集中于樣品、顆粒污染低、升降溫速率快等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于集成電路、二維半導(dǎo)體、光伏、光電探測器等關(guān)鍵領(lǐng)域。

多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜等新型薄膜材料的制備。本設(shè)備主要用于金屬薄膜的沉積，可提供的靶材有銅、鎳、鈷、鐵、鉭、鉻、鈦、鋁、鎢等金屬的沉積。

平臺搭載半導(dǎo)體級氣路與流量控制系統(tǒng)，設(shè) 8 路供氣通道，可滿足薄膜沉積、材料燒結(jié)、氣相合成、氣氛退火等實驗工況。 配備 2/4 英寸管式爐及等離子源系統(tǒng)，我們可提供一站式材料定制研發(fā)代工，整合實驗至中試全流程設(shè)備，檢測分析一體化服務(wù)，保障科研項目順利開展。

多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜等新型薄膜材料的制備。本設(shè)備主要用于金屬薄膜的沉積，可提供的靶材有銅、鋁等金屬的沉積。

最高支持1150°C的高溫工藝;多區(qū)獨立加熱，實現(xiàn)出色的溫度均勻性;動態(tài)氣體流量控制，保證生長速率與摻雜的均勻性;自動化控制?？蓱?yīng)用與二維半導(dǎo)體制備、半導(dǎo)體材料、晶圓的退火，金屬薄膜熱處理，兼顧中小批量生產(chǎn)與研發(fā)需求。

本設(shè)備為高性能半導(dǎo)體參數(shù)分析系統(tǒng)，可將測試配置至運行檢定的整體耗時降低50%，設(shè)備集成多模式測量功能，支持自動化參數(shù)提取、兼具超高測量分辨率與便捷化操作模式，綜合性能強勁，是現(xiàn)階段高?？蒲?、企業(yè)研發(fā)領(lǐng)域主流的半導(dǎo)體電學(xué)特性分析設(shè)備，可有效加速工藝研發(fā)，完成制程管控、可靠性檢測與故障溯源分析。