主要功能

本設(shè)備為一體式熱壁CVD系統(tǒng)，專為高精度薄膜生長與高溫?zé)崽幚砉に囇邪l(fā)，搭載多區(qū)獨(dú)立溫控系統(tǒng)與智能化氣路調(diào)控模塊，整體自動化程度高、工藝穩(wěn)定性優(yōu)異。設(shè)備兼容高精度材料研發(fā)與中小批量樣品制備，可滿足二維半導(dǎo)體材料制備、各類半導(dǎo)體薄膜生長、晶圓高溫退火、金屬薄膜氣氛熱處理、功能材料改性等多元化工藝場景，廣泛適配低維材料、微電子半導(dǎo)體、光電新材料等領(lǐng)域科研研發(fā)與項(xiàng)目落地需求，兼顧高?？蒲袑?shí)驗(yàn)、工藝調(diào)試以及商業(yè)化中小批量試樣生產(chǎn)。

技術(shù)指標(biāo)

1、襯底承載規(guī)格：設(shè)備腔室內(nèi)徑尺寸達(dá)11英寸，內(nèi)部作業(yè)空間充足，最大可支持8英寸整片晶圓襯底進(jìn)行加工處理，同時兼容小尺寸襯底、片狀樣品、粉體材料等不同形態(tài)試樣，適配絕大多數(shù)主流半導(dǎo)體與新材料實(shí)驗(yàn)規(guī)格。

2、工藝溫度系統(tǒng)：配備多區(qū)獨(dú)立閉環(huán)加熱模組，支持分區(qū)精準(zhǔn)控溫，有效優(yōu)化腔室內(nèi)溫場分布，從根本上提升樣品加熱均勻性；設(shè)備常規(guī)最高恒溫工藝溫度可達(dá)1100℃，瞬時峰值工藝溫度支持1150℃，8英寸整片晶圓范圍內(nèi)溫度偏差控制＜2%，杜絕局部溫差過大導(dǎo)致的材料生長不均、退火失效等問題，適配各類高溫制備及熱處理工藝。

3、精密供氣系統(tǒng)：標(biāo)配7路獨(dú)立可控高精度氣路通道，涵蓋氬氣、氫氣、氮?dú)?、甲烷、乙炔、氧氣六路常用高純工藝氣體，并預(yù)留1路備用氣路，可自由拓展適配特殊實(shí)驗(yàn)氣體。系統(tǒng)搭載動態(tài)流量控制單元，能夠?qū)崟r精準(zhǔn)調(diào)節(jié)各路氣體配比與進(jìn)氣速率，穩(wěn)定腔內(nèi)氣體氛圍，保障材料生長速率、元素?fù)诫s的一致性，適配常壓、低壓等多氣氛生長工況。

4、真空控制系統(tǒng)：搭載高密封性真空腔室與多級真空機(jī)組，分級可控調(diào)節(jié)腔內(nèi)氣壓參數(shù)。設(shè)備本底氣壓低至0.1Pa，穩(wěn)定工作氣壓調(diào)節(jié)區(qū)間為1Pa~5×10??Pa，可輕松實(shí)現(xiàn)高真空、低真空、常壓等多種作業(yè)環(huán)境，有效隔絕空氣雜質(zhì)、水汽干擾，保障高溫工藝下材料成膜質(zhì)量與制備穩(wěn)定性。

5、智能控制系統(tǒng)：整機(jī)采用一體化全自動控制系統(tǒng)，集成工藝程序編輯、參數(shù)一鍵設(shè)定、自動升溫、自動換氣、真空自動抽取、異常報警及緊急停機(jī)功能。科研人員可自主編輯儲存多組工藝配方，一鍵調(diào)用即可完成整套實(shí)驗(yàn)流程，降低人工操作誤差，簡化實(shí)驗(yàn)流程，大幅提升研發(fā)與生產(chǎn)效率。