冷壁 CVD 是實(shí)現(xiàn)薄膜、低維半導(dǎo)體材料外延生長的核心工藝裝備，區(qū)別于傳統(tǒng)熱壁 CVD 整腔高溫加熱方案，設(shè)備采用襯底獨(dú)立精準(zhǔn)加熱、腔體循環(huán)水冷控溫至近室溫的差異化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)可讓反應(yīng)沉積過程僅集中發(fā)生在襯底表面，大幅減少腔壁高溫分解產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)，有效降低薄膜缺陷與污染；同時(shí)襯底獨(dú)立控溫模式升降溫響應(yīng)速度快，工藝切換周期短，便于精準(zhǔn)調(diào)控材料成核、生長、摻雜全過程，在先進(jìn)集成電路、二維半導(dǎo)體、光伏電池、光電探測器、寬禁帶器件等前沿領(lǐng)域均為關(guān)鍵制備設(shè)備。

針對當(dāng)前二維材料、先進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)化與科研試驗(yàn)的設(shè)備缺口，我司聯(lián)合行業(yè)合作單位深度工藝開發(fā)，推出適配大尺寸晶圓加工的專用垂直冷壁 CVD 成套系統(tǒng)，兼顧實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)研發(fā)、工藝中試迭代與小批量試樣量產(chǎn)多重使用需求，同時(shí)支持整機(jī)模塊化定制開發(fā)，匹配特殊材料生長工藝。

設(shè)備核心參數(shù)與優(yōu)勢

腔體結(jié)構(gòu)：垂直式冷壁結(jié)構(gòu)，腔體水冷維持近室溫工況，雙腔室獨(dú)立分區(qū)布局，可實(shí)現(xiàn)生長腔與傳輸腔隔離，減少外界雜質(zhì)引入，提升薄膜一致性；

工作溫度區(qū)間：500℃~1100℃，襯底單點(diǎn)精準(zhǔn)控溫，溫場均勻性優(yōu)異，適配半導(dǎo)體外延膜等多種材料生長；

適配晶圓規(guī)格：支持單片 4 英寸、6 英寸、8 英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓一體化加工，兼容各類方形、異形襯底試樣；

全自動(dòng)化系統(tǒng)：搭載全自動(dòng)晶圓真空傳片機(jī)構(gòu)，搭配多路高精度氣體質(zhì)量流量控制系統(tǒng)，可自動(dòng)完成多組分工藝氣體配比、切換；集成原位實(shí)時(shí)檢測模塊，實(shí)時(shí)監(jiān)測腔內(nèi)壓力、溫度、氣體濃度等關(guān)鍵工藝參數(shù)，全程工藝數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲記錄；

真空體系：搭載高真空機(jī)組，可提供潔凈低本底真空環(huán)境，大程度抑制雜質(zhì)干擾，保障高純薄膜制備；

適用場景：覆蓋高校院所前沿科研、企業(yè)新工藝中試放大、實(shí)驗(yàn)室小批量樣品試制；

定制化服務(wù)：可根據(jù)目標(biāo)材料、工藝路線、產(chǎn)能需求，對腔體尺寸、氣路通路、加熱模塊、自動(dòng)化功能、檢測組件進(jìn)行個(gè)性化選配與整機(jī)定制。